問(wèn)題一、雙N溝道m(xù)os buck電路上電燒mos管該如何修改？
48V轉(zhuǎn)13V非隔離buck直流電路?，F(xiàn)在設(shè)定好25A負(fù)載后上電測(cè)試會(huì)出現(xiàn)板子上其中一個(gè)mos燒壞的現(xiàn)象，把壞的mos換了再測(cè)就不會(huì)再出現(xiàn)問(wèn)題。
我用示波器測(cè)良品mos DS電壓最高是64V，低于手冊(cè)標(biāo)注的最高80V，柵極開(kāi)啟電壓15V，低于手冊(cè)標(biāo)注的最高25V，mos開(kāi)關(guān)的時(shí)間（上升沿和下降沿）夠短，產(chǎn)品有限流保護(hù)，30A時(shí)電壓會(huì)被拉很低9-10V。
請(qǐng)問(wèn)該怎么去測(cè)量和分析
問(wèn)題二、mos管并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)電阻如何配置，開(kāi)啟電壓如何確定？
mos管并聯(lián)可以增大電流能力，并聯(lián)MOS管需要注意mos管的哪些特性，比如開(kāi)通關(guān)斷延遲時(shí)間，開(kāi)啟電壓？
上面的連接正確嗎？
上期解答：
上期解答一、只有開(kāi)關(guān)器件截止的時(shí)候會(huì)，因?yàn)榇嬖谶@個(gè)漏感，一旦截止就會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，MOS這樣的尤其容易被擊穿。如圖的漏感，簡(jiǎn)單理解就是，在導(dǎo)通時(shí)的感應(yīng)電壓是上正下負(fù)，而且此時(shí)的MOS管導(dǎo)通，所以這個(gè)上正下負(fù)的漏感電壓就不會(huì)對(duì)MOS造成損壞。
上期解答二、MOS管導(dǎo)通后，反向時(shí)主要是流過(guò)溝道，因?yàn)轶w二極管本身有比較大的二極管壓降，約為0.7V，溝道相當(dāng)于把體二極管給短路了。
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