講完P(guān)MOS，這次來看看NMOS的防反保護電路有什么不同？
簡單的柵極驅(qū)動電路設計，我們會使用NMOS來作防反電路，原因是成本較低。
PMOS一般會放置在電路的高邊，NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類似。不過，NMOS的防反結(jié)構(gòu)，它的電源地和負載地是分開的，而這種結(jié)構(gòu)在汽車電子產(chǎn)品設計中很少使用。
這是因為低邊開關(guān)存在一定的局限性，會有接地不良的隱患，功率上還是提倡使用高邊開關(guān)。
傳統(tǒng)的NMOS防反保護
那我們加入驅(qū)動IC呢？
采用NMOS和升降壓驅(qū)動IC設計防反保護電路時，NMOS則需要放置高邊，而驅(qū)動IC也從高邊進行取電。
優(yōu)化后的NMOS和驅(qū)動IC電路
這時會產(chǎn)生一個大于輸入電壓（VIN）的內(nèi)部電壓，給 NMOS 提供 (VGS)驅(qū)動供電。
使用驅(qū)動IC可以采取升降壓（Buck-Boost）方案。
利用升降壓拓撲有兩個優(yōu)勢：一個是提供更大的驅(qū)動電流能力。
當輸入電壓疊加到100kHz，峰值為2V時，輸入電壓和源極電壓一致，系統(tǒng)電壓與漏極電壓一致。
當源極電壓低于漏極電壓時，輸入電壓（VIN）會低于系統(tǒng)電壓，MOS管驅(qū)動關(guān)斷，體二極管提供了防反保護功能，防止了電容電流回流。
如果源極電壓超過漏極電壓，輸入電壓超過系統(tǒng)電壓，MOS管驅(qū)動導通，可以避免體二極管導通影響電路效率。
第二個優(yōu)勢是提升EMC性能。
通過采用固定的峰值電流控制，較小負載可以對應較低的fSW，而負載越輕，開關(guān)頻率越低。再者，MOS管是電壓型器件，電流消耗比較小，開關(guān)頻率也比較低，幾乎不存在EMI問題。
除了上述的兩個優(yōu)勢：提供更大的驅(qū)動電流能力和提升EMC性能。此外，它還具備管壓降小，損耗和溫升低的優(yōu)勢。
因此，在一些簡單的驅(qū)動電路設計中，采用NMOS進行防反接，性價比會比較高。
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