MOS管因為其導通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應用在開關(guān)電路上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
01 IC直接驅(qū)動
IC直接驅(qū)動是最簡單的驅(qū)動方式，應該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。
①查看電源IC手冊的最大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片，驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。
②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢，就達不到想要的效果。
02 推挽驅(qū)動
當IC驅(qū)動能力不足時，可用推挽驅(qū)動。
這種驅(qū)動電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
03 加速關(guān)斷驅(qū)動
MOS管一般都是慢開快關(guān)。在關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。
為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復二極管。這使關(guān)斷時間減小，同時減小關(guān)斷時的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時電流過大，把IC給燒掉。
用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當PNP三極管導通時，柵源極間電容短接，達到最短時間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時的交叉損耗。
還有一個好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源IC，提高了可靠性。
04 隔離驅(qū)動
為了滿足高端MOS管的驅(qū)動，經(jīng)常會采用變壓器驅(qū)動。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過交流，同時也能防止磁芯飽和。
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