反向擊穿電壓，是指二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。
當(dāng)反向電壓逐漸增大時(shí)，反向飽和電流不變。但是當(dāng)反向電壓達(dá)到一定值時(shí)，PN結(jié)將被擊穿。在PN結(jié)中加反向電壓，如果反向電壓過(guò)大，位于PN結(jié)中的載流子會(huì)擁有很大的動(dòng)能，足以和中性粒子碰撞使中性粒子分離出價(jià)電子而產(chǎn)生空穴-電子對(duì)。
這樣會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)反向電流的急劇增大，發(fā)生PN結(jié)的擊穿，因?yàn)楸粡棾龅膬r(jià)電子又可能和其他中性粒子碰撞產(chǎn)生連鎖反應(yīng)，類(lèi)似于雪崩，這樣的反向擊穿方式成為雪崩擊穿（Avalanche breakdown）。
摻雜濃度越低所需電場(chǎng)越強(qiáng)。當(dāng)摻雜濃度非常高時(shí)，在PN結(jié)兩端加入弱電場(chǎng)就會(huì)使中性粒子中的價(jià)電子脫離原子的束縛，從而成為載流子。導(dǎo)致PN結(jié)的擊穿。這樣的擊穿被稱(chēng)作齊納擊穿（Zener breakdown）。
摻雜濃度越高所需要的電場(chǎng)越弱。一般小于6V的電壓引起的是齊納擊穿，大于6V的引起的是雪崩擊穿。
齊納擊穿
當(dāng)pn結(jié)反向偏置時(shí)，耗盡層延伸穿過(guò)pn結(jié)。電場(chǎng)造成耗盡層內(nèi)p型區(qū)價(jià)帶與n型區(qū)導(dǎo)帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應(yīng)，電子從p型區(qū)價(jià)帶隧穿到n型區(qū)導(dǎo)帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導(dǎo)致反向電流突然增加的現(xiàn)象。齊納擊穿如圖1.3所示。
雪崩擊穿
當(dāng)pn反向偏置時(shí)，少量電子通過(guò)pn結(jié)。這些電子在耗盡層被電場(chǎng)加速，獲得較大動(dòng)能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產(chǎn)生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產(chǎn)生更多的電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致電子進(jìn)一步脫離的過(guò)程。這種現(xiàn)象稱(chēng)為雪崩擊穿。
雪崩擊穿和齊納擊穿對(duì)比
高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時(shí)，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（Eg）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。
此外，隨著溫度升高，半導(dǎo)體晶格振動(dòng)增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請(qǐng)注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。
反向擊穿電壓危害
二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^(guò)熱而燒壞。最高反向工作電壓VBWM一般是VBR的一半。
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