(1)nmos反相器
設(shè)電壓vdd = 10v，開(kāi)啟電壓vt1 = vt2 = 2v
1、a輸入高電平vih = 8v
t1、t2均導(dǎo)通，輸出為低電平vol ≈0.3v
2、a輸入低電平v il = 0.3v時(shí)，
t1截止t2導(dǎo)通，電路輸出高電平voh = vdd - vt2 = 8v。
故 電路執(zhí)行邏輯非功能
（2）nmos門(mén)電路
工作原理
1、當(dāng)兩個(gè)輸入端a和b均為高電平時(shí)
t1和t2都導(dǎo)通，輸出低電平
2、當(dāng)輸出端有一個(gè)為低電平時(shí)，
與低電平相連的驅(qū)動(dòng)管就截止，輸出高電平
注：增加扇入，只增加串聯(lián)驅(qū)動(dòng)管的個(gè)數(shù)，但扇入不宜過(guò)多，一般不超過(guò) 3
（3）cmos門(mén)電路
cmos反相器
工作原理
1、輸入為低電平vil = 0v時(shí)
vgs1＜vt1 —t1管截止；
|vgs2| ＞vt2 —t2導(dǎo)通；
電路中電流近似為零（忽略t1的截止漏電流）,vdd主要降落在t1上，輸出為高電平voh≈vdd
2、輸入為高電平vih = vdd時(shí)，t1通t2止，vdd主要降在t2上，輸出為低電平vol≈0v
cmos傳輸門(mén)（tg門(mén)）
工作原理
當(dāng)c = vdd， c= 0v時(shí)，
vi由0～（vdd-vt）范圍變化時(shí)tn導(dǎo)通
vi在vt～vdd范圍變化時(shí)tp導(dǎo)通
即vi在0～vdd范圍變化時(shí)，tn、tp中至少有一只管子導(dǎo)通，使vo=vi，這相當(dāng)于開(kāi)關(guān)接通，這種狀態(tài)稱(chēng)為傳輸門(mén)傳輸信息
1、當(dāng)c 為低電平時(shí)， tn、tp截止傳輸門(mén)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，傳輸門(mén)保存信息
2、當(dāng)c為高電平時(shí)， tn、tp中至少有一只管子導(dǎo)通，使vo=vi，這相當(dāng)于開(kāi)關(guān)接通，傳輸門(mén)傳輸信息
由此可見(jiàn)傳輸門(mén)相當(dāng) 于一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)，且是一個(gè)雙向開(kāi)關(guān)
cmos門(mén)電路
1、與非門(mén)
二輸入“與非”門(mén)電路結(jié)構(gòu)如圖
MOS 集成 門(mén)電路
2、“異或”門(mén)
輸入端a和b相同
當(dāng)a = b = 0時(shí)
tg斷開(kāi)，則c=b=1，f=c=0。
當(dāng)a = b = 1時(shí)，
tg接通，c = b = 1，反相器2的兩只mos管都截止，輸出f=0。
得：輸入端a和b相同， 輸出 f=0
輸入端a和b不同
當(dāng)a = 1，b = 0時(shí)，輸出f=1
當(dāng)a = 0，b = 1時(shí)，輸出f=1
得：輸入端a和b不同，輸出 f=1
(4) cmos電路的特點(diǎn)
1、功耗小：cmos門(mén)工作時(shí)，總是一管導(dǎo)通另一管截止，因而幾乎不由電源吸取電流其功耗極小。
2、cmos功耗低內(nèi)部發(fā)熱量小，集成度可大大提高。
3、抗幅射能力強(qiáng)，mos管是多數(shù)載流子工作，射線輻 射對(duì)多數(shù)載流子濃度影響不大。
4、電壓范圍寬：cmos門(mén)電路輸出高電平voh ≈ vdd，低電平vol ≈ 0v。
5、輸出驅(qū)動(dòng)電流比較大：扇出能力較大，一般可以大于50。
6、在使用和存放時(shí)應(yīng)注意靜電屏蔽，焊接時(shí)電烙鐵應(yīng)接地良好。
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