離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加，對所需輸出能力小于 1 瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對于這些應(yīng)用程序，最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。
在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個智能燈開關(guān) ，用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。
對于離線電源來說，反激拓?fù)涫且粋€合理的解決方案，因?yàn)樗奈锪?清單（BOM）計(jì)數(shù)較低，只有少數(shù)功率級元件，并且變壓器 的設(shè)計(jì)可以處理較寬的輸入電壓范圍。但是，如果設(shè)計(jì)的終端應(yīng)用不需要隔離呢？如果是這樣的話，考慮到輸入是離線的，設(shè)計(jì)師可能仍然會想要使用反激。帶集成場效應(yīng)晶體管 （FET）和初級側(cè)調(diào)節(jié)的控制器會產(chǎn)生小的反激解決方案。
圖 1 顯示了使用帶初級側(cè)調(diào)節(jié)的 UCC28910 反激開關(guān)的非隔離反激的示例示意圖。雖然這是一個可行的選擇，但與具有較低 BOM 計(jì)數(shù)的反激相比，離線倒置降壓拓?fù)鋵⒕哂懈叩男省Ｔ谶@篇電源管理 設(shè)計(jì)小貼士中，我將探討用于低功耗 AC/DC 轉(zhuǎn)換的倒置降壓。
圖 1 這種使用 UCC28910 反激開關(guān)的非隔離反激設(shè)計(jì)可將 AC 轉(zhuǎn)換為 DC，但離線倒置拓?fù)淇梢愿行У赝瓿纱隧?xiàng)工作。
圖 2 顯示了倒置降壓的功率級。像反激一樣，它有兩個開關(guān)元件，一個磁性元件 （單電源電感器 而不是變壓器）和兩個電容器 。顧名思義，倒置降壓拓?fù)漕愃朴诮祲恨D(zhuǎn)換器 。開關(guān)在輸入電壓和接地之間產(chǎn)生一個開關(guān)波形，然后由電感 電容 網(wǎng)絡(luò)濾除。區(qū)別在于輸出電壓被調(diào)節(jié)為低于輸入電壓的電位。即使輸出“浮動”在輸入電壓以下，它仍然可以正常為下游電子器件供電。
圖 2 倒置降壓功率級的簡化示意圖。
將場效應(yīng)晶體 管放在低側(cè)意味著它可以直接從反激控制器驅(qū)動。圖 3 顯示了一個使用 UCC28910 反激開關(guān)的倒置降壓。一對一耦合 電感器作為磁開關(guān)元件。一次繞組作為功率級電感器。二次繞組向控制器提供定時(shí)和輸出電壓調(diào)節(jié)信息，并為控制器的局部偏置電源（VDD）電容器充電。
圖 3 一個使用 UCC28910 反激開關(guān)的倒置降壓設(shè)計(jì)示例。
反激拓?fù)涞囊粋€缺點(diǎn)是能量通過變壓器傳遞的方式。這種拓?fù)湓趫鲂?yīng)管 的接通時(shí)間內(nèi)將能量存儲 在氣隙中，并在場效應(yīng)管的斷開時(shí)間內(nèi)將其傳輸?shù)酱渭墶?shí)際的變壓器在初級側(cè)會有一些漏感。當(dāng)能量轉(zhuǎn)移到次級側(cè)時(shí)，剩余的能量儲存在漏感中。這種能量是不可用的，且需要使用齊納二極管 或電阻 電容網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行耗散。
在降壓拓?fù)渲校┠芡ㄟ^二極管 D7 在場效應(yīng)管斷開期間傳遞到輸出端。這樣可以減少組件數(shù)量并提高效率。
另一個區(qū)別是每個磁性元件的設(shè)計(jì)和傳導(dǎo)損耗。因?yàn)橐粋€倒置降壓只有一個繞組來傳輸功率，所以所有的功率傳輸電流 都通過它，這就提供了良好的銅利用率。反激則不具有那么好的銅利用率。當(dāng)場效應(yīng)管接通時(shí)，電流通過一次繞組而不是二次繞組。當(dāng)場效應(yīng)管斷開時(shí)，電流通過二次繞組而不是一次繞組。因此，更多的能量儲存在變壓器中，并且在反激設(shè)計(jì)中利用更多的銅來提供相同的輸出功率。
圖 4 比較了具有相同輸入和輸出規(guī)格的降壓電感器和反激變壓器的一次和二次繞組的電流波形。降壓電感器波形在左側(cè)的單個藍(lán)色框中，反激的一次繞組和二次繞組在右側(cè)的兩個紅色框中。
對于每個波形，傳導(dǎo)損耗計(jì)算為均方根電流平方乘以繞組電阻。因?yàn)榻祲褐挥幸粋€繞組，所以磁場中的總傳導(dǎo)損耗就是一個繞組的損耗。然而，反激的總傳導(dǎo)損耗是一次繞組和二次繞組損耗之和。此外，反激中磁場的物理尺寸將比在類似功率水平下的倒置降壓設(shè)計(jì)更大。任一組件的儲能等于½ L × IPK2。
對于圖 4 所示的波形，我計(jì)算出倒置降壓只需要存儲反激所需存儲的四分之一的功率，因此，與同等功率的反激設(shè)計(jì)相比，倒置降壓設(shè)計(jì)的占地面積要小得多。
圖 4 降壓和反激拓?fù)渲须娏鞑ㄐ蔚谋容^
當(dāng)不需要隔離時(shí)，反激拓?fù)洳⒉豢偸堑凸碾x線應(yīng)用的最佳解決方案。倒置降壓可以提供更高的效率和更低的 BOM 成本，因?yàn)槟梢允褂靡粋€可能更小的變壓器 / 電感器。對于電力電子器件設(shè)計(jì)人員來說，重要的是要考慮所有可能的拓?fù)浣鉀Q方案，以確定最適合給定規(guī)格的拓?fù)洹?br />
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