MOS管主要參數(shù)如下：
1.開啟電壓VT-開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開端構(gòu)成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；-規(guī)范的N溝道MOS管，VT約為3～6V；-經(jīng)過工藝上的改良，能夠使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS-即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比-這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示-MOS管的RGS能夠很容易地超越1010Ω。
3. 柵源擊穿電壓BVGS-在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開端劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
4. 漏源擊穿電壓BVDS-在VGS=0（加強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開端劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS-ID劇增的緣由有下列兩個(gè)方面：
（1）漏極左近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿-有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不時(shí)增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層不斷擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直承受耗盡層電場(chǎng)的吸收，抵達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
5. 低頻跨導(dǎo)gm-在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和惹起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)-gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制才能-是表征MOS管放大才能的一個(gè)重要參數(shù)-普通在非常之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6. 極間電容-三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS-CGS和CGD約為1～3pF-CDS約在0.1～1pF之間
7. 導(dǎo)通電阻RON-導(dǎo)通電阻RON闡明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)-在飽和區(qū)，ID簡(jiǎn)直不隨VDS改動(dòng)，RON的數(shù)值很大，普通在幾十千歐到幾百千歐之間-由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似-對(duì)普通的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
8. 低頻噪聲系數(shù)NF-噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所惹起的-由于它的存在，就使一個(gè)放大器即使在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也呈現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化-噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）-這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小-低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)-場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小.
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